Samsung готовит первый в промышленности модуль DDR5 объёмом 512 ГБ — Новости Высоких Технологий

Samsung готовит первый в промышленности модуль DDR5 объёмом 512 ГБ

Samsung готовит первый в промышленности модуль DDR5 объёмом 512 ГБКомпания Samsung объявила о разработке первого в индустрии модуля памяти объёмом 512 ГБ, изготовленного по технологии Through-Silicon via (TSV). Благодаря TSV ускоряется интерконнект внутри трёхмерных стеков памяти.

Южнокорейский гигант будет создавать стек из 8 слоёв чипов по 16 Гб каждый, что обеспечит 512 ГБ памяти на одном модуле. Что касается скорости, то разработчик уверяет, что она составит 7200 Мб/с. Эти модули высокого объёма разрабатывались для интенсивной вычислительной нагрузки, включая суперкомпьютеры, обработку задач ИИ и анализа данных.

Также компания проделала большую работу по энергоэффективности. Она внедрила технологию High-K Metal Gate (HKMG), благодаря которой удаётся значительно снизить токовые утечки, возрастающие по мере утонения изолирующих слоёв, что неизбежно из-за продолжающейся гонки масштабирования. В результате сокращения утечек удалось снизить и операционный ток, что повлияло на общую энергоэффективность памяти, которая составила 13%.

Технология HKMG традиционно применяется в процессорах, однако Samsung использует её и при производстве памяти с 2018 года, когда она была внедрена на GDDR6. Теперь эта технология используется и в DDR5.

Samsung готовит первый в промышленности модуль DDR5 объёмом 512 ГБ
Top